新能源汽车主驱逆变器SiC市场空间测算

由于当前碳化硅行业仍处于较为初期阶段，碳化硅衬底本身生产效率低、良率低，衬底、外延、器件制造等环节产能仍然紧缺，导致碳化硅器件价格较硅基器件较高。以特斯拉Model3为例，其主驱动逆变器采用了48个SiCMOSFET，总成本约为5000元，是硅基IGBT的3~5倍。随着全球碳化硅衬底产能不断增长，供给不断增加，我们假设碳化硅器件价格保持年降10%的速度，新能源汽车主驱逆变器中碳化硅模块的渗透率保持每年5ppts的增速，则我们测算2026年全球新能源汽车主驱逆变器中SiC器件市场规模约为44亿美元。

新能源汽车OBC中对SiC MOSFET的需求亦有较大增长。对于800V高压平台，新能源汽车需配置11KW以上的双向OBC。根据Wolfspeed的数据，22KW双向OBC中需使用14颗SiC MOSFET，其中AC-DC侧需要6颗，DC-DC侧需要8颗。