上游芯片环节:Mini LED芯片对切割和转移的精度要求低于Micro-LED,可以通过优化传统LED芯片的生产工艺流程实现,其生产流程可以简要总结为在蓝宝石、SiC或者硅片制造GaN基/GaAs基外延片,再经过刻蚀、清洗等环节得到不同类别的LED芯片。相比于传统LED,Mini LED芯片制造环节中的外延及检测步骤难度提升,需要设备优化与工艺改进同步配合。