2022-2024 全球内存晶圆产出量（千片）

23年原厂资本开支下调产能释放减缓，远期全球存储产能还将增加。根据IC insights数据，预计23年存储公司整体资本开支将减少19%以上，根据CFM闪存市场统计，尽管三星P3工厂NANDFlash产线、铠侠/西部数据Fab7工厂以及长江存储二期22年均有投产，短期减产产能释放有限。远期看，全球产能还将增加：三星P4工厂预计24年投产，P3工厂DRAM产线预计23年年底投产。SK海力士M17工厂已进入规划阶段；美光在美国的DRAM工厂预计将于25年投产。

尽管全球23年DRAM晶圆出货量下降后24年增加有限，国产供应商出货量持续提升。根据IDC数据，从22年年底开始原厂控制晶圆产出量，供给端逐步优化，预计23-24年晶圆出货量保持稳定；海力士在HBM等高性能存储领域的领先带来2Q-4Q23年内存供应量20%以上的增长，预计24年将回落至稳定供应状态；合肥长鑫在国产替代驱动下2Q-4Q23年内存供应量增速均超30%。