2021 年全球 SiC 功率器件竞争格局 图

国内厂商加大SiC器件的技术研发、产线投资力度，加速追赶国际龙头。尽管国内企业在碳化硅器件领域起步较晚，但在碳化硅市场规模高速增长、行业供需持续紧张的背景下，国内传统功率器件制造商与新兴SiC器件制造商纷纷入局。国内厂商一方面加大研发力度，将应用逐步从消费类和工业类产品拓展至车规级；另一方面把握下游应用快速增长窗口期进行产能扩张，拓展更大市场份额。

TGBT产品已覆盖新能源多应用领域，技术迭代升级有序进行。公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A，已具备赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。

公司TGBT多款产品进入批量供货阶段，进入光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业。E系列高速TGBT产品批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域国产替代；L系列TGBT实现了对国外超低VcesatIGBT的替代；在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。2022年TBGT产品迭代升级有序进行，在研项目有望进一步丰富产品矩阵。