
在公司从上游供应商获得的晶圆代工产能持续提升的前提下,公司进一步聚焦于大功率、大电流高压超级结MOSFET、高性能TGBT产品,上述成品具有单位芯片面积大、单颗售价高的典型特征,广泛应用于车规及工业级领域。同时,公司亦针对下游客户的需求情况进行了积极备货。
IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,可以调节电路中的电压、电流、频率、相位等。根据Statista数据,2021年全球IGBT市场规模为70亿美元,预计2025年将达102亿美元,21-25年CAGR约10%。下游应用领域方面,根据华经产业研究院数据,2021年工控、新能源汽车、新能源发电占比37%、28%、9%,未来,新能源车、新能源发电领域将贡献IGBT市场主要增量。
国内IGBT厂商加速技术追赶,市占率有望加速提升。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端,目前市场主流水平相当于英飞凌2007年推出的第4代产品,IGBT的这一特性为以斯达半导为首的国内IGBT厂商实现追赶提供了产业基础,国内龙头厂商的量产芯片水平已经达到第五/六代,能够覆盖主流产品技术。伴随着中国企业的产品技术升级和客户持续导入,国内IGBT厂商市占率有望加速提升。