
Ø碳化硅是第三代半导体材料之一。相比第一、第二代半导体,第三代半导体具有优秀的耐高压特性、耐高频特性、耐高温特性,可大幅降低产品功耗,提高能量转换效率,减小产品体积,适用于高温、高频、大功率、高压器件的制作,在新能源汽车、轨道交通、新能源发电、航空航天、国防军工、5G通信等民用及军用领域均存在明显优势,应用空间广阔。公司贯彻发展战略,布局碳化硅晶体材料生长设备,当前产品已在客户除获小批量试用,并有客户追加订单,或将成为未来公司新的盈利增长点。
碳化硅材料由于技术含量高,当前存在生产难度大、良率低、成本高的特点。目前国内长晶和加工环节的良率仍有较大提升空间,长晶环节的良率仅为50%左右,需要从工艺与设备两方面持续改进,工艺端需要衬底厂商通过技改和研发来改进,设备端需要国内设备厂商配合。
根据Yole统计,随着碳化硅器件在新能源汽车、轨道交通、通讯、5G等领域渗透率的不断提升,2021年全球碳化硅功率器件市场规模为10.90亿美元。下游应用领域发展迅速,尤其是新能源汽车领域预计2027年有望达到62. 97亿美元,2021-2 0 2 7年CAGR=34%,有望拉动碳化硅外延片以及碳化硅设备市场的增长。