
拓荆科技成立于2010年,地点位于沈阳,2022年4月在科创板上市。公司主要从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务,主要产品包括等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)、原子层沉积设备(ALD)和次常压化学气相沉积设备(SACVD)等产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公司发展历程中的重要节点包括:2011年公司首台12英寸PECVD出厂到客户端验证,2016年公司首台12英寸ALD出厂到客户端,2017年公司首台量产型3D NAND PECVD出厂到客户端,2019年公司SACVD设备研制成功并出厂到客户端,2021年公司全年设备出货达到100台,且完成HDP产品研发并进入客户端验证,2022年公司上市。
公司产品已适配国内28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。其中,PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序,并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺,拓宽公司PECVD产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。从下游看,公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线,成功打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。