
•刻蚀是通过化学或物理的方法,在没有被光刻胶覆盖的晶圆上进行雕刻,从而呈现出多层的立体微观电路结构。随着先进芯片向FinFET晶体管架构过渡,晶体管结构复杂度提升,刻蚀次数进一步增多,对刻蚀工艺精度提出了更高的要求。刻蚀方向是评价刻蚀工艺的重要指标,在湿法刻蚀工艺下,刻蚀方向是均匀的,溶液会同时对纵向和横向进行刻蚀,导致对部分被光刻胶保护的硅片同样被腐蚀,从而影响芯片的功能。而干法刻蚀通过用阳离子和自由基取轰击硅片表面实现刻蚀,并利用阳离子的各向异性更加精准地控制刻蚀方向,较湿法刻蚀精确度更高,为目前主流的刻蚀技术。
•根据Gartner数据,2020年刻蚀设备市场规模约为136.9亿美元,预计2024年将达到181.9亿美元。泛林半导体、东京电子、应用材料为全球主要刻蚀设备供应商,2020合计市占率达90.24%。国内厂商中,中微公司、北方华创及屹唐股份技术领先。