中国CMP抛光液市场规模（亿元）

逻辑芯片制程持续升级，先进制程所需CMP抛光液种类和用量大幅提升。晶圆制造技术升级进步带来CMP工艺步骤大幅增长，CMP抛光材料在晶圆制造过程中的消耗量增加。根据Cabot微电子数据， 14nm 以下逻辑芯片工艺要求的关键CMP工艺将达到20步以上，所需CMP抛光液将从90纳米的五六种抛光液增加到二十种以上，种类和用量迅速增长；7纳米及以下逻辑芯片工艺中CMP抛光步骤可能达到30步，CMP抛光液种类接近三十种。目前逻辑芯片正向 7nm 以下先进制程发展，台积电 5nm 产品已于2020年下半年实现量产出货，而芯片制程提高后CMP抛光步骤会大幅增加，产品用量随之增长。

3D NAND存储芯片成为市场主流，随着堆叠层数提升，CMP抛光液需求同步增长。在存储芯片领域，3D NAND抛光步骤提升至2D NAND的两倍，而且3D NAND主要依靠堆叠增加存储容量，堆叠层数逐渐从64层提升至128层、192层，CMP工艺次数也随之增加。未来176层以上的3D NAND晶圆产量占比将逐步提升，将带动钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。根据公司2023半年报，公司钨抛光液在存储芯片领域的应用范围和市场份额持续稳健上升，基于氧化铈磨料的抛光液在国内领先的存储客户持续突破，多款新产品完成论证测试并实现量产销售，未来相关收入有望实现持续增长。