CMP抛光液产业链

化学机械抛光（CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表材料的去除，从而达到晶圆表面高度平坦化效应，光刻和沉积后都需要CMP工艺进行平坦化处理，使下一步的光刻工艺得以进行。CMP的主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。

CMP抛光液的主要原料包括研磨颗粒、各种添加剂和水，研磨颗粒为核心原材料。研磨颗粒主要为硅溶胶和气相二氧化硅，构成CMP抛光液主要成分，成本占比在50%以上。

添加剂的种类根据产品应用也有所不同，在加料、混合和过滤等关键生产流程中，各种组分的比例、顺序、速度和时间等都会影响到最终性能，需要企业不断优化研究来找出最合适的方案，因此产品配方和生产工艺流程是每家企业的核心竞争力，即使是同一技术节点、同一工艺段，根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方。