CMP抛光液全球市场规模（亿美元）

2028年有望达到占据全球需求总量的28%，位列全球第二。CMP抛光垫材料作为半导体前道制造的重要材料之一，市场规模也会随需求增长而扩大。

半导体先进制程推动CMP工艺应用次数增加，进而拉动CMP材料用量。根据陶氏公司，在逻辑芯片领域，65nm制程的逻辑芯片工艺仅需10步CMP工艺，28nm以下逻辑芯片工艺要求的CMP工艺为14步以上，7nm以下逻辑芯片工艺中CMP抛光步骤多达24-30步。在存储芯片领域，当2D NAND升级到3D NAND后，结构的复杂导致抛光步骤从10步上升至14-26步；当DRAM由3Xnm进步到1Xnm，对应的CMP抛光步骤从10步上升至17步。技术进步叠加芯片制程精细度提高，将为CMP未来需求打开广阔空间。

抛光材料基本被美日企业垄断，国产替代空间广阔。在CMP抛光垫领域，陶氏一家独大，2021年市占率接近80%，覆盖CMP抛光垫全制程全产品线，是行业标准的制定者（陶氏CMP抛光垫业务现已拆分重组至杜邦公司）。卡博特位居第二，市占率约12%，主要生产聚氨酯材料的抛光垫。在CMP抛光液领域，卡博特（卡博特CMP业务现已被英特格收购）、日历、Fujimi市占率分别为36%、15%、11%，CR3超过50%。根据前瞻产业研究院，卡博特的市占率已从2000年约80%下降至