全球DRAM市场CR3达到95.5%（2023Q3）

存储器行业作为半导体产业的核心支柱之一，具备空间大、标化程度高、重资本开支的特点，是后发玩家追赶甚至超越先行者的关键赛道。中国大陆两大存储龙头在3DNAND、先进DRAM芯片核心技术上已实现重要突破，但市占率与海外巨头相比仍存在较大差距，需要持续扩产以带来规模效应和在全球市场上的议价权。

3D NAND：技术端，2022年长江存储首发232层产品，基本追平与海外3DNAND产品的代际差。产能端，长江存储于2016年投资240亿美元建设3D NANDFlash工厂，一期总产能30万片/月。3DNAND容量增加主要通过堆栈加层，相较于先进DRAM和逻辑对电路线宽的要求更简单，主要使用ArFi和干法光刻设备。根据ASML测算，随着堆叠层数增加，NAND对光刻设备投资增速约为10%，低于先进逻辑/DRAM的30%/20%。