
芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求。90nmCMOS芯片工艺中,大约需要40道薄膜沉积工序,而在FinFET工艺产线,大约需要超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料也由6种增加到近20种。在存储芯片领域,3DNAND堆叠到96层时,实际沉积层数已经达到了192层以上。制造工艺进步和先进制程的多重成像技术共同对薄膜工艺提出更高性能要求,并拉动薄膜设备需求提升。
中国大陆是全球最大半导体设备市场,国产化率低进口依赖严重。2017-2022年中国大陆半导体设备市场规模从82.3亿美元提升至282.7亿美元,CAGR为27.99%。以22%占比测算,