从半导体ALD设备性能指标来看,公司产品在设备产能、平均故障间隔时间、平均破片率、平均修复时间、薄膜均匀性、薄膜颗粒控制、金属污染控制等技术指标方面与国际同类设备基本处于同等水平;而反应源数量、可控温度以及机台稳定运行时间三大关键指标已实现超越。