
十万级
TeslaDojo
来源:英伟达官网,Semiwiki,36氪,HKPCA会议,特斯拉官网,《InFO_SoW(System-on-Wafer)forHighPerformanceComputing》,国金证券研究所
2.5Dand3D-stackedpackaging*
CIS
Embedded
Sibridge
Siinterposer
3D-stacked
memory
3DSoC
Hybrid
bondingtechnologyusedbySony
InterposerDieTSVs
MicrobumpsFlip-chipbumps
TSVs
Microbumps
Hybrid
bonding
Hybrid
bonding
LSIEMIB
Active
Non
active
HBM
3DS
3DNAND
stacks
TSMC:SoIC
Intel:FoverosDirect
W-2-W
TSMC:
SapphireRapids
Co-EMIB
(EMIB+ActiveSiInterposer)
Intel:
3D-stacked
DRAM
YMTC
Xtack
Intel:Ponte
Vecchio
图表15:各大厂商在2.5D/3D技术中的布局
来源:Yole,国金证券研究所
由此可见,先进封装已经迎来了快速发展的契机,根据Yole预测,先进封装市场在2021~2027年间复合增长率将达到9.81%,至2027年市场规模将达到591亿美元,其中受益于AI相关的高速通信领域的发展,2.5D/3D封装将成为成长最快的板块,复合增长率将达到13.73%,至2027年市场规模将达到180亿美元。
图表16:全球先进封装市场规模(十亿美元)图表17:2021~2027年全球先进封装细分市场复合增速
7016%
6014%
5012%
4010%
308%
206%
104%
02% 2021202220232024202520262027
0%
SiPFCCSPFCBGA2.5D/3DWLCSPFO
2.5D/3DFCCSPFOFCBGASiPWLCSPTOTAL
来源:Yole,国金证券研究所来源:Yole,国金证券研究所
先进封装正迎来快速发展,我们认为应当重点把握先进封装产业趋势变化,从而厘清产业
变化的增量环节。我们认为先进封装相对传统封装的变化主要在于两个方面:
1)FC新增Bumping、回流焊、底部填充环节。一般情况下,行业将FC(FlipChip,倒转)作为传统封装和广义先进封装的临界点,以结构最相近的WBBGA和FCBGA作对比,后者所代表的先进封装相较前者所代表的传统封装会多出Bumping工序,由此延伸出回流焊、底部填充等新增工序要求。