硅光并不局限于单一的衬底或材料。用于光子集成的各种材料平台,如薄膜LiNbO3(TFLN)、SiN、BTO、GaAs等,都已显示出其潜力。其中,硅基薄膜TFLN进展迅速,TFLN具有严格的模式限制,已被证明对于创建高速调制器非常有价值。
另外,硅光子集成与硅集成电路相比,在规模上有很大差距,硅集成电路已缩小到几nm,硅光芯片并不需要 3nm 光刻技术, 45nm 技术完全足以生产高性能、高质量的硅光芯片。这一点非常有利,因为使用光刻水平较低的代工厂非常具有成本效益。