存储芯片2024年增长速度最快

以氧化锆（ZrO）作为主要成分的光刻胶现在被视为EUV光刻胶的重要技术路线。清华大学研究员何向明、副教授徐宏的研究文献

《Ultrahigh-printing-speed photoresists for additive manufacturing》中使用ZrO来制备光刻胶，将该锆基光刻胶旋涂到玻璃基板上，形成极其光滑的薄膜，其表面的均方根粗糙度为0.34 nm，这是一个极小的尺寸，甚至小于苯环的直径(约0.60 nm)。