2015-2026E全球射频功率放大器市场预测（按制造工艺）（百万美元）

用GaAs材料及相应工艺的将占比97.17%，由于其工艺较为成熟，且可以满足高频段的一定要求，所以仍将处于主导地位，同时，使用GaN的HEMT工艺有望持续渗透，市场规模预计将由2021年的0突破至4600万美元。

（3）射频低噪声放大器可放大射频信号，减少噪声引入，预计市场规模未来年复合增长率超过4%，其中SOI工艺占比过半。射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大，尽量减少噪声的引入，在移动智能终端上实现信号更好、通话质量和数据传输率更高的效果。在低噪声放大器内部，输入的射频信号被输入匹配网络转化为电压，经过放大器对电压进行放大，同时在放大过程中最大程度降低自身噪声的引入，最后经过输出匹配网络转化为放大后功率信号输出。

根据Yole Development数据预测，2015-2026年，射频低噪声放大器市场从1.56亿美元有望上升至19.8亿美元，预计2021-2026年CAGR为4.91%。其中SOI为主流技术工艺，其不仅可以提高LNA的高频性能，还可以集成开关功能，因此SOI为射频低噪声放大器占比最大的制造工艺，且逐年上升，2021年占比54.36%，预计到2026年SOI工艺份额有望达到64.44%。