
为顺应AI加速器芯片需求演进,存储厂正积极布局下一代HBM技术。HBM2E技术上,三家都已有成熟的解决方案提供:两家韩系存储厂海力士和三星已完成HBM3技术开发,开始为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列供应HBM,美系存储厂美光则选择跳过HBM3,直接开发HBM3E。在HBM3E技术上,根据TrendForce11月的披露,美光已于今年7月底提供8hi(24GB)NVIDIA样品、海力士已于今年8月中提供8hi(24GB)样品、三星则于今年10月初提供8hi(24GB)样品。由于HBM验证过程繁琐,预计耗时两个季度,因此最快在2023年底可望取得部分厂商的HBM3E验证结果,三大存储厂均预计于2024年第一季完成验证。更为先进的HBM4 12hi(12层)产品将于2026年推出,而16hi(16层)产品则预计于2027年问世;HBM4或将首次看到HBM最底层的Logic die采用 12nm 制程wafer,这就意味着单颗HBM产品需要结合晶圆代工厂与存储厂的合作。