
IGBT模块和SiCMOSFET模块成为未来高功率场景主要解决方案。IGBT模块凭借高压大电流特性,在新能源汽车、光伏、风电、轨道交通、智能电网、充电桩等领域广泛应用,IGBT模块将从2021年的48.92亿美元增长到2027年的79.35美元,复合年均增长率为8.4%。SiCMOSFET模块相比IGBT模块,开关速度更快、功率密度更高、高频性能更好,SiCMOSFET模块将从2021年的7.48亿美元增长到2027年的47.59美元,复合年均增长率为36.1%,成为增速最快的功率模块器件。MOSFET模块应用于相对较低的电压和功率系统,MOSFET模块将从2021年的3.76亿美元增长到2027年的4.44美元,复合年均增长率为2.8%。