
硅基MOSFET是功率分立器件市场最主要的产品类型。根据Yole的预计,硅基MOSFET将从2021年的85.1亿美元增长到2027年的91.5亿美元,复合年均增长率为1.2%。IGBT主要以高压功率模块产品为主,IGBT分立器件将从2021年的13.7亿美元增长到2027年的14.5亿美元,复合年均增长率为1.0%。整流器(Rectifier)保持较快增长,将从2021年的36.1亿美元增长到2027年的46.1亿美元,复合年均增长率为4.1%。第三代半导体材料功率器件将实现高速增长,SiCMOSFET将从2021年的0.86亿美元增长到2027年的3.85亿美元,复合年均增长率为28.4%;GaN将从2021年的0.52亿美元增长到2027年的9.61亿美元,复合年均增长率为62.9%。