功率半导体上游制造供应链

被日本、德国、韩国、中国台湾厂商占据。目前，全球前五大硅片厂商日本信越化学、日本Sumco、德国Siltronic、中国台湾环球晶圆、韩国SK Siltron合计市场份额达93%。外延片是在抛光片的基础上进行外延生长，功率半导体通常在低电阻率的硅衬底上外延生长高电阻率的外延层，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压，可应用于二极管、IGBT等功率器件的制造。芯片制造在硅片上主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀，然后进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性能指标测。功率半导体上游供应链厂商中，大多数硅片供应商也提供硅外延片产品，部分供应商自己生产外延片并制作芯片封装成器件，部分供应商从硅片、外延片、器件制造实现IDM一体化。

8英寸产品目前占据主流，12英寸成为未来发展方向。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，硅基功率半导体主流产品是8英寸（200mm）硅片产线，硅基MOSFET的8英寸产品占比约70%，IGBT的8英寸产品占比约50%。12英寸（300mm）功率半导体产线逐步投产，预计2021年-2027年的年均复合增长率达到32.3%。在宽禁带功率半导体市场，目前主要以4英寸、6英寸产线为主，8英寸是未来主要发展方向。GaN的8英寸产线占比较高，SiC产线以6英寸及以下为主，SiC供应商正在大量投入8英寸产线建设，预计到2027年8英寸产能占比达到20%。国内厂商尽管起步较晚，但在12英寸产线和宽禁带功率半导体发展比较积极，