2022年OBC市场竞争格局

碳化硅优势明显，正在快速应用。在电驱系统电压等级提高到800V后，需要提高逆变器中的功率器件耐压到1200V，而目前主流的硅基IGBT耐压等级在600-750V。相比硅IGBT，碳化硅MOSFET具有高耐压、低导通电阻、耐高频和耐高温的特性。

但使用碳化硅可以提升整车NEDC效率3%左右，若电池包带电量为100KWH，3%的效率提升可以减少2-3KWH的带电量，对应电池成本2千元左右，对整车成本已经有一定经济性，未来随着碳化硅售价的显著降低，经济性会更明显。

1.高耐压：碳化硅材料的绝缘击穿场强是硅的10倍，因此与硅器件相比，能够以更薄的厚度实现600V以上的高耐压。同等电压等级下，可设计成硅基器件体积的1/10，体积大大减小。

2.低导通电阻：相同耐压的器件,碳化硅单位面积的漂移层阻抗仅为硅基器件的1/300｡因此,碳化硅材料可以采用多数载流子器件(MOSFET)就可以实现低导通电阻､高耐压､高频快速开关等各优点兼备的器件，而不需要IGBT这种双极型器件结构。

3.耐高频：碳化硅的饱和电子漂移速率是硅基器件的2倍，可以在更高的频率下驱动。碳化硅器件的能量损失更小，为硅基器件能量损失的30%~60%。

4.耐高温：碳化硅相较于硅基器件在高温下漏电流较小，再考虑到碳化硅器件本身热导率高，损耗低,发热小,因此碳化硅功率器件可在高温下保持工作｡一般硅基器件的极限工作温度约300℃，碳化硅器件可以到600℃以上。