碳化硅产业链

按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：具有高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底以及低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。其中（1）半绝缘型碳化硅衬底+氮化镓外延层—射频器件：应用于无线通信基础设施和国防领域；（2）导电型碳化硅衬底+碳化硅外延层—功率器件：应用于电动汽车、充电桩、光伏逆变器、轨道交通、智能电网等领域。

根据Yole预测数据，受益于新能源电动车以及光伏市场的快速扩张，全球碳化硅器件的市场规模有望从2021年的10亿美元增长至2027年的近60亿美元，复合年增长率达34%，碳化硅器件市场的高速增长也将推动碳化硅单晶衬底的需求释放，尤其是导电型碳化硅衬底。

全球衬底市场仍由美国等传统半导体产业链强国主导，市场集中度较高。美国科锐公司占据绝对龙头地位，2021年市场份额达62%，CR3接近90%，国内企业中半绝缘型衬底材料厂商包括天岳先进、河北同光、山西烁科等，导电型衬底材料厂商包括三安光电、天科合达、东尼电子、浙江晶越、露笑科技、中电化合物半导体有限公司等。

大尺寸是碳化硅衬底制备技术实现降本增效的重要发展方向，国内厂商尚未突破8英寸产品技术门槛。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，边缘的浪费就越小，单位芯片成本越低。目前半绝缘型碳化硅市场主流衬底产品规格为4英寸，导电型碳化硅市场主流衬底产品规格为6英寸，但是国外主流厂商已实现8英寸衬底量产应用。

综上所述，由于国内半导体技术发展和产业链配套相对落后等原因，国内厂商对比国外龙头企业仍存在技术水平差距和市场份额较小的情况。