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全球服务器出货量及预测(万台)

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全球服务器出货量及预测(万台)
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© 2026 万闻数据
数据来源:Trend Force,招商证券
最近更新: 2023-12-01
补充说明:1、E表示预测数据;2、*表示估计数据;

数据描述

DRAM和NANDFlash是存储市场的两大支柱产品。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储,易失性存储主要指随机存取存储器(RAM),它需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,RAM可进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM),DRAM结构简单、单位面积的存储密度更高,需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据;

SRAM访问速度更快,由于不需要周期性刷新,功耗也更低。非易失性存储主要指只读存储器(ROM),无需持续通电亦能长久保存数据。ROM包括掩膜只读存储器(Mask ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等,其中,Flash应用最广,主要包括NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储,每位只使用一个晶体管,存储密度远高于其他ROM,还能实现快速读写和擦除,由于其在大容量数据存储方面的高性价比,它成为目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案;NOR Flash允许CPU直接从存储单元中读取代码执行,仅在小容量场景具有成本效益。全球来看,存储芯片产品以DRAM和NAND Flash为主,市场份额分别占比53%和44%,NOR Flash占比较少,仅为1%。