
竞争格局方面,目前,全球前三大存储芯片厂商,分别是三星、SK海力士、美光。据Trendforce数据,2022年Q4全球DRAM市场三星占据半壁江山,其次为海力士和美光。据CFM闪存市场数据,2022年Q4全球NAND市场依旧为三星领衔,铠侠、海力士(及其旗下Solidigm)、西部数据(WD)、美光位列其次。
目前,DRAM产品的制造工艺处于10- 20nm 的阶段。随着DRAM制程工艺进入 20nm 后,制造难度逐渐增加。为了区分上一代DRAM芯片,各大内存厂商将其按照1X、1Y、1Z进行工艺区分。其中,1Xnm工艺相当于16- 19nm 制程工艺,1Ynm相当于14- 16nm 制程工艺,1Znm工艺相当于12- 14nm 制程工艺。
而新一代的1a、1b和1c则分别代表14- 12nm 、12- 10nm 以及 10nm 及以下制程工艺。