2022年全球HBM市场竞争格局

在过去，NAND闪存一直采用二维平面的NAND技术（2DNAND），通过在平面上微缩晶体管尺寸来提高存储容量。然而，由于晶体管尺寸微缩遇到了物理极限，为了在保持性能的同时实现容量的提升，3D NAND技术逐渐成为主流。

3D NAND是一种非易失性存储技术（NVM，Non-Volatile Memory），属于存储器的一种形式。与2D NAND不同，3D NAND采用堆叠多层的方式，解决了平面NAND在增加容量时性能下降的问题，实现了容量、速度、能效和可靠性等多方面的提升。通过3D堆叠，每个垂直堆叠的层级都可以存储数据，从而大大提高了存储密度和容量。这种技术的发展使得NAND闪存在各个方面都取得了重大的进步。

根据Yole数据，2019年64/72层3DNAND的产出比重为64.9%，成为全球产出的主要部分，而92层3DNAND的产出比重占总体的21.3%。根据DRAMeXchange的估计，随着110+层闪存芯片的推出，92/96层闪存芯片会被迅速取代，其产出占有率在2020年略微提升后逐步下降。据Yole数据，2019年3D NADA市场占比为76%。同时，据DRAMeXchange预计，到2023年，110+层3DNAND闪存芯片将占据市场总产出的72.5%。