2021-2027年高端封装工艺市场规模

2、凸块制造（Bumping）是扇入/扇出、FC等封装必要环节，推动沉积、涂胶显影、电镀等前道工艺需求增长

晶圆级封装采用凸块（Bump）取代键合引线，凸块可以分布在整个芯片表面形成信号触点。凸块工艺即在晶圆切割成单个芯片之前，在晶圆上以整个晶圆的形式形成由焊料组成的“凸块”或“球”，这些凸块是芯片和基板互连形成单个封装的基本互连组件。传统的引线键合工艺中，接合焊盘/引脚放置在外围区域，但用于凸块的I/O焊盘可以分布在芯片的整个表面，每个凸块都是一个信号触点，从而可以缩小芯片尺寸并优化电气路径，因此凸块工艺广泛用于倒装芯片封装、扇入或扇出型封装工艺。

凸块可以由共晶、无铅、高铅材料或晶圆上的铜柱组成，高端应用多采用铜柱作为凸块。含铅焊料作为凸块有多年历史，但已经被锡基无铅焊料取代并用于倒装封装等工艺，而在AI、HPC、基带、高性能存储等应用场景，铜柱凸块（Cu Pillar Bump，CPB）逐渐取代无铅锡球，主要系CPB的精细节距（Fine Pitch）更小，无铅锡球的Fine Pitch一般为130-250um，铜柱凸块的Fine Pitch可缩小至130-40um左右，采用铜柱凸块的芯片尺寸较锡球能够缩小5-10%，衬底层可从6层减少到4层，基板成本下降约30%；铜柱凸块还具有改善的电子迁移阻力，能够减少功率损耗和信号延迟，同时实现更好的散热性能。无铅锡球整体由锡金属构成，铜柱则分为三层结构，包括铜金属柱、一层薄镍金属作为铜柱的扩散屏蔽层、锡/银金属作为焊帽。