
HBM市场份额集中于三大存储原厂,国内厂商尚不具备HBMDRAM Die生产和堆叠能力。HBM的DRAM Die由存储原厂负责生产和堆叠,目前份额集中于三大原厂SK海力士、三星、美光,根据集邦咨询,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%,其中SK海力士是HBM3产品的领先生产商,是英伟达AI服务器GPU的主要供应商,三星主要满足其他云端服务商的订单。
HBM市场先行者和领军者,全面推进第五代HBM3E。2014年,SK海力士和AMD合作开发第一代硅通孔HBM产品,还联合开发了高带宽三维堆叠存储器技术和相关产品。HBM1带宽高于DDR4和GDDR5产品,同时以较小的外形尺寸消耗较低的功率,更能满足GPU等带宽需求较高的处理器;SK海力士凭借HBM1占据市场领先地位,并在2018年发布第二代产品——HBM2,其中一项关键的改进是伪通道模式(Pseudo Channel Model),将一个通道分为两个单独的64bit I/O子通道,为每个存储器的读写访问提供128位预取,从而优化内存访问并降低延迟,从而有效提供带宽;2020年,SK海力士发布第三代产品——HBM2E,作为HBM2的扩展版本,HBM2E堆叠8个16Gb芯片,总容量是HBM2的两倍,处理速度高达3.6Gbps;2021年10月,SK海力士成功开发出第四代产品——HBM3,并于2022年6月开始生产;2023年4月,公司宣布,在全球率先研发出12层堆叠的HBM3内存,单颗容量最高可达24GB;2023年8月,公司成功开发出面向AI超高性能DRAM新品HBM3E,预计24H1量产;公司预计2026年量产HBM4。