2020-2025 年硅光模块市场份额（%）

自动驾驶逐步普及，带动激光雷达核心部件光芯片需求提升。随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。

光模块硅光方案驱动DFB激光器芯片应用量的提升。随着电信骨干网络和数据中心流量快速增长，更高速率光模块的市场需求不断凸显，硅光方案因集成度高及成本、波导传输性能优势在高速率光模块场景中需求有望充分释放。新思界产业研究中心认为，2020年全球硅光模块市场普及率较低，仅为15%左右，在5G与数据中心行业拉动下，预计到2025年其市场普及率将达到45%左右，其中，高速光模块市场中占有率将达到60%以上。

下游模块厂商布局硅光方案，大功率、小发散角、宽工作温度DFB激光器芯片将被广泛应用。硅光方案中，硅基芯片自身不发光，承担速率调制功能，需要DFB激光器芯片作为外置光源，因此需将激光器芯片发射的光源耦合至硅基材料中。凭借高度集成的制程优势，硅基材料能够整合调制器和无源光路，从而实现调制功能与光路传导功能的集成。

随着数据中心、核心骨干网等场景进入到400G及更高速率时代，单通道所需的激光器芯片速率要求将随之提高。根据公司招股说明书披露显示，以400G QSFP-DD DR4硅光模块为例，需要单通道激光器芯片速率达到100G。在此背景下，利用CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势。