2021年全球SiC功率器件竞争格局

上游衬底、下游代工厂商均向外延环节延伸，纯外延厂商盈利空间受限。相较纯外延厂商，碳化硅衬底厂商向下游延伸具有更强的客户优势，即可为客户直接供货外延产品，碳化硅代工厂商向上游延伸具有更强的验证优势，即外延产品直接在自有晶圆制造产线验证可缩短验证周期，未来纯碳化硅衬底厂商盈利空间可能受到挤压。

供给端，欧美日厂商引领全球碳化硅市场。根据Yole数据，2021年SiC市场份额前五厂家均为欧美日企业，合计占据93%的市场份额，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球40%的市场份额。海外厂商起步较早，在全产业链进行布局，尤其在碳化硅衬底、器件环节具有丰富量产经验和深厚技术积累，形成先发优势。

国产厂商器件设计工艺、代工产能扩建并举。以斯达半导为代表的设计厂商持续推出导通电阻更低、性能更优的碳化硅芯片产品，同时传统设计公司已开始涉足碳化硅晶圆制造产线建设，拟完成碳化硅IDM能力构建。以中芯集成为代表的代工厂商持续提升工艺平台能力、扩建产能。