
SK海力士、三星、美光等存储巨头在HBM领域展开了升级竞赛。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看,HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代产品。对于HBM3E,SK海力士预计2023年底前供应HBM3E样品,2024年开始量产。8层堆叠,容量达24GB,带宽为1.15TB/s。
近日,三星电子也更新了HBM3E的进展。据韩媒报道,三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”,并正在向客户公司发送HBM3E产品Shinebolt原型机进行质量认可测试。Shinebolt为8层堆叠的24GB芯片,带宽比HBM3高出约50%,达到1.228TB/s。另外,后续还有12层堆叠的36GB产品开发。
美光首席执行官SanjayMehrotra透露,美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E目前正在进行英伟达认证,首批HBM3E采用8-Hi设计,提供24GB容量和超过1.2TB/s带宽。计划于2024年推出超大容量36GB12-HiHBM3E堆叠。