中国 Nand闪存市场规模及预测（亿元） 图

18.0%

38.0%

23.0%

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资料来源：德明利公告，方正证券研究所资料来源：德明利公告，方正证券研究所

中国闪存市场空间广阔。根据yole，中国是全球重要的Nand闪存市场，2022年约占全球33%的市场份额。根据前瞻产业研究院预测，2019-2026年，中国闪存芯片市场规模有望以15%的年均复合增速持续增长，至2026年市场规模有望达到3032亿人民币。

图表38:中国Nand闪存市场规模及预测（亿元）图表39:2022年Nand闪存按地域划分销售占比

资料来源：前瞻产业研究院，方正证券研究所资料来源：Yole，方正证券研究所

存储密度提升从制程升级转为层数堆叠，3DNAND是NANDFlash当前主流技术，堆叠已超300层。

大厂3DNand堆叠不断突破。早期的NandFlash产品容量提升主要依赖于制程升级，当进入1xnm时代，NandFlash通过升级制程的方式提升容量难度及成本都显著加大，需求驱动NandFlash率先走向3D堆叠结构。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，此后各NandFlash存储厂商均聚焦于产品层数的提升。2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段，2022年美光宣布232层3DNAND实现量产。SK海力士此前表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始量产。三星则计划于2024年推出第九代3D

NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3DNAND(有望达到430层）。图表40:各存储原厂产品最新制程信息图表41:2022年TLCNand技术节点

资料来源：yole，方正证券研究所资料来源：semianylasis，方正证券研究所

232层及以上3DNand产品有望成为2024年市场规模增长的主要驱动力。从产品当前层数来看，随着96层3DNand产品的逐步退出，128层3DNand是当前主流产品，且预计在2024年之前与176层3DNand产品一起占据主要地位。232层以上的产品市规模将持续增长，并将在2024年逐步成为主流产品，并成为推动NandFlash市场规模增长的主要驱动力。