
eMRAM为eNVM主要的应用形式,处于高速成长期。根据Yole的数据,2020年全球嵌入式非易失性存储器(eNVM)市场规模为2600万美元,其中eMRAM为主要的应用形式,市场规模为1690万美元,预计到2026年eMRAM的市场规模将达到约17亿美元,2020-2026年复合增速约为116%,eMRAM占整个新兴eNVM市场的76%左右。
阻变存储器(ReRAM)是以非导性材料的电阻在外加电场作用下,在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。作为结构最简单的存储技术,ReRAM结构看上去像一个三明治,绝缘介质层(阻变层)被夹在两层金属之间,形成由上、下电极和阻变层构成金属-介质层-金属(MIM)三层结构。导电细丝在阻变层中呈现导通或断开两种状态:非易失性的低阻态或高阻态,从而实现了“0”,“1”状态的区分和存储。