2017-2024 年全球 SLC NAND Flash 市场规模及预测情况

NAND Flash晶圆设计与制造行业具有较高的资本门槛。全球NAND Flash晶圆市场被三星、铠侠、西部数据、美光和SK海力士占据，全球前五大NAND Flash厂商通过前期巨额资本投入建立强大的竞争优势，并且不断进行工艺制程迭代，研发投入持续增加；根据Omdia的数据，全球前五大NAND Flash晶圆原厂长期保持较高的资本投入，并且呈波动向上增长趋势，NAND Flash晶圆设计与制造产业具有较高的资本门槛。

通过提高存储单元的可存储数位量提升存储密度目前已接近极限。NAND Flash厂商在激烈竞争中不断提升存储密度，目前提高存储单元的可存储数位量是提升存储密度的主要技术路径之一，每个物理存储单元存储多一位需要将单元必须保持的可辨别电压状态的数量增加一倍，增加每个单元的电压状态的数量意味着划分每个存储单元的电子存储容量，每个状态的电子数量减少会增加可变性并破坏可靠性。2D NAND已经达到了TLC技术的极限，3D NAND也将很快接近类似的极限。