22Q4 全球 NAND Flash 市场格局-按营业收入

国内存储产能全球占比低，投入确定性强。全球芯片制造产能中，存储芯片占比超30%，存储芯片产线建设是半导体设备需求的主要来源之一。存储芯片产品标准化程度高、规模效应显著，国内在DRAM、3D NAND领域份额占比仅低个位数，亟需在提升技术实力的同时扩大产能提升竞争力，未来资本开支投入的确定性强。

国内存储领域技术差距与海外持续缩小。DRAM领域，长鑫存储已达到1Xnm（16nm-19nm）阶段，与国际先进水平相比，虽然仍存在一定差距，但差距近年来逐步缩小。NAND领域，长江存储2022年推出232层产品已比肩国际一线大厂。

3D NAND堆叠层数增加拉动刻蚀及薄膜沉积设备需求。集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，当前叠堆层数正从96/128层向200层以上发展，层数增加导致晶圆厂对刻蚀设备需求量上升。根据东京电子统计，刻蚀设备占FLASH芯片产线资本开支比例从

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