
激光器功率决定特种激光系统最远击打距离,更高功率是特种激光系统的长期发展趋势。激光芯片作为泵浦源发射激光的功能物质,实现电能到光能的转化。高功率激光器需求下推动核心激光芯片单片功率以及在激光器中用量的提升,特种激光系统在国内外加速列装叠加激光系统功率提升双重因素驱动下,特种领域高功率激光芯片市场需求规模将实现持续增长。
激光芯片的生产工艺要求高、具有技术壁垒。半导体激光芯片一般包括衬底、光限制层、有源层、包层、接触层,钝化层以及电极等。其中,与有源层对应的位置用于发光。能量光子注重激光芯片发光的功率,通常需要在半导体激光芯片两端面镀膜,其中,出光面镀低反射膜(AR),提高透光率,减小对出射光线的削弱,而后端面则镀高反射膜(HR),减少漏光,以提高输出功率。在芯片前道工艺生产完毕后,芯片的解理镀膜、腔面钝化等工艺直接决定芯片的发光功率上限。长光华芯开发了一种新型的高亮度激光器结构,采用优化的非均匀接触金属层来改变热导率曲线。