硅光子市场规模预测（US $ million）

硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新技术，结合了CMOS超大规模逻辑、超高精度制造特性和光子技术超高速率、超低功耗的双重优势。

传统光器件主要基于III-V族半导体、晶体等材料。以有源器件普遍采用的磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）材料为例，属于稀有材料，成本高，且难以制作电子元件，光、电器件需要独立的制造平台。与传统光器件相比，硅光子技术具备以下优势：第一，硅基材料成本低，并可利用CMOS在集成电路领域的投资、设施和经验，大幅提高光器件制造工艺水平，进一步降低成本；第二，硅基材料阻抗低，器件驱动电压低，从而功耗较低；第三，硅基材料及技术可以提供光子和电子的统一制造平台，为芯片级光电集成提供途径，进一步减小系统设备的成本和尺寸。

虽然硅光子产品的研发投资和销售额仍小于III-V族材料，在产品性能、工艺、成本等方面仍面临一定挑战，但基于其在成本和功耗方面的优势有望成为未来光器件的主流技术。根据Yole预测，数据中心和自动驾驶、生物化学传感等新应用将推动硅光子市场规模从2015年的4000万美元快速增长至2025年的数十亿美元。根据Yole Group的报告，2027年用于数据通信的硅光模块市场份额将从目前的20%提高到30%，市场规模从2021年的1.51亿美元增长到2027年的9.72亿美元，CAGR达36%。国外公司如Intel、Cisco等已经在硅光子技术领域耕耘多年，占据一定的先发优势。国内外其他同业公司也在积极投入硅光子技术研发。