ALD设备市场格局@2021

半导体ALD设备的国产化率处于较低水平，国产化替代为国内ALD设备厂商提供了充足的市场机会。全球半导体ALD设备市场主要由ASM、TEL等国外厂商占据，国内厂商微导纳米、拓荆科技、北方华创、中微公司等也推出了相关产品，但与国外还存在较大的差距，国产化率较低。根据公司官网信息，2020年ALD设备的国产份额几乎为0，在当前外部环境紧张的背景下，国产替代诉求持续强化，国产ALD设备厂商有望迎来良好的发展契机。

半导体先进制程快速发展，所需的ALD工艺数量大幅提升。集成电路制造不断向先进制程发展，芯片立体结构日趋复杂，这对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能指标不断提出更高的要求，同时薄膜沉积工艺的数量也在不断增长。90nm CMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工艺，但在3nmFinFET工艺产线上，薄膜沉积工序则增长到100道，沉积所需的薄膜材料也由6种增加到近20种，同时对薄膜颗粒的要求也由微米级提高至纳米级。先进制程前道工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提升，驱动具备高阶梯覆盖率、膜厚精准控制能力的ALD设备应用于先进制程产线，根据微导纳米IPO公开路演资料，逻辑芯片ALD设备应用环节由40nm工艺的1道增长到7nm工艺的11道，增幅十分迅猛。