
分产品来看,DRAM格局更加集中,NAND相对更分散,未来将进一步集中。DRAM格局已高度集中于三家公司,即三星、海力士、美光,据IDC数据,2022年DRAM行业CR3已达到95%,我们预计竞争格局已逐步趋于稳定。NAND目前竞争格局更加分散,主要玩家仍有六家,除三星、海力士、美光外,还包括Intel、WDC与铠侠,CR3为63%,CR6为97%,目前SK海力士将收购Intel存储资产,WDC也在与铠侠商谈合并,我们预计未来市场份额将进一步集中,向DRAM的格局看齐。
WesternDigital15%
Kioxia
YMTC3%
PowerChip1%
Nanya2%
Samsung43%
Micron
23%
CXMT2%
Hynix29%
Samsung
33%
14%
Micron12%
Intel8%
Hynix15%
资料来源:IDC,华泰研究资料来源:IDC,华泰研究
风险提示
下游需求复苏不及预期风险。存储产业链各环节公司业绩回暖较大程度取决于周期复苏的拐点与幅度,若需求复苏拐点推迟或复苏程度较弱,则对公司各类细分赛道量价情况产生不利影响。
国产存储供应链技术进展不及预期风险。国内存储产业链长期当中国产化进展对于上游原厂技术进展依赖较强,若其上游设备厂对于先进节点供应能力进展不及预期,则国产存储原厂技术突破与产能扩张进度将产生一定程度的推迟。
地缘政治风险。存储芯片行业为全球协同性较强的行业,从设备到设计制造,再到封测与模组,均需要全球各地厂商分工协作,若某一环节因地缘政治原因与全球存储产业链发生脱钩,则将对存储芯片行业正常运转造成负面影响。
宏观经济波动风险。存储芯片作为硬件基础设施赋能千行百业,广泛的下游应用使得存储行业需求端与宏观经济波动息息相关,从而宏观经济的短期波动将为存储行业盈利能力带来一定程度的不确定性。