SiC 产业链

碳化硅衬底可分为导电型衬底及半绝缘型衬底。衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：一类是具有高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为15~30m Ω·cm）的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底可制得碳化硅基氮化镓外延片，用于氮化镓射频器件，应用于5G通信、卫星、雷达等国防军工领域。导电型碳化硅衬底可制得碳化硅外延片，用于碳化硅功率器件，广泛应用于中高压领域如新能源汽车、工控、光伏/风电等。

大尺寸SiC衬底能够显著降低成本，是未来重要发展方向。更大的晶圆尺寸，意味着单片晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪费减少，单芯片成本降低。

Wolfspeed的报告显示，以32mm面积的裸片（芯片）为例，8英寸晶圆上的裸片数量相比6英寸增加近90%，同时边缘裸片数量占比从14%降低至7%，也就是说8英寸晶圆利用率相比6英寸提升了7%。因此晶圆往大尺寸发展是需求增长下的必然趋势。