碳化硅产业链

目前主流商用的碳化硅衬底制造方法为PVT法，工艺流程如下：1）原料合成：将高纯硅粉和碳粉混合，得到符合纯度和颗粒度要求的碳化硅粉；2）晶体生长：采用PVT法制备碳化硅单晶并检测剔除晶型杂乱及结晶缺陷的晶体；3）晶锭加工：采用X射线单晶定向仪定向并加工为标准尺寸和角度的晶棒；4）晶棒切割：按照客户需求切割成不同厚度；5）切割片研磨：采用自有配方研磨液减薄切割片并进行面型和电学性能检测；

6）研磨片抛光：对研磨片进行机械抛光和化学抛光，并检测各指标参数确定等级；7）抛光片清洗：通过化学试剂与去离子水进行清洗，并完成甩干封装。

SiC价格较高限制应用放量，衬底是产业链的核心降本环节。碳化硅材料具有高熔点、高硬度属性，制造所需的工艺难度远高于硅基材料，且由于碳化硅晶体生长速率慢、产品良率低，碳化硅衬底的生产周期远大于传统硅基。根据芯八哥数据，碳化硅器件制造成本结构中，衬底成本占比约20%，未来，衬底逐步降本有望打开碳化硅市场天花板。