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资料来源:Yole,方正证券研究所
Fab/IDM厂和OSAT错位竞争:Fab/IDM厂商涉足3D堆叠,OSAT主攻倒装、扇出和晶圆级封装。Fab/IDM厂基于前道制造优势和硅加工经验,聚焦产品性能,多开发基于Si-interposer的2.5D或3D封装技术。从头部厂商的封装类型来看,三星的3D堆叠产品最高,达67%,主要系其存储产品占比较高所致。其次为台积电,3D堆叠占比为46%;凭借其InFO在苹果产品中的渗透,台积电扇出型封装占比也达到了33%。OSAT厂商则聚焦于载板技术,成本为先,产品结构中倒装仍是主力,FCBGA和FCCSP占比在ASE中为38%和29%,在安靠中为28%和33%,在长电中为28%和31%。
资料来源:各公司官网,方正证券研究所
内资封测企业中甬矽电子、通富微电先进封装占比领先。甬矽电子目前封装技术以SiP为主,先进封装产品占比达100%。通富微电、长电科技、华天科技技术布局最为广泛,且均已具备2.5D/3D的技术储备,未来先进封装占比有望继续提升。