
碳化硅的产业链从上游的衬底和外延,到中游的器件和模块制造(包括器件设计、制造和封测等),最后是下游的终端应用。碳化硅产业链价值量倒挂,关键部分主要集中在上游端,其中衬底生产成本占总成本的47%,外延环节成本占23%,合计上游成本占到碳化硅生产链总成本的约70%5。其中衬底制造技术壁垒最高、价值量最大,既决定了上游原材料制备的方式及相关参数,同时也决定着下游器件的性能,是未来碳化硅大规模产业化推进的核心。
衬底(47%)
外延(23%)
器件(20%)
应用
半绝缘型
GaN外延
微波射频器件
5G通信,航空航天等
碳化硅
衬底
导电型
SiC外延
功率器件
新能源汽车,电力
系统等
资料来源:中商情报网,亿渡数据《中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告》,长城证券产业金融研究院
5.来源:亿渡数据,《中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告》
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2.3碳化硅衬底根据技术路径不同,应用于不同领域