
根据单晶硅的制备方法,硅片可分为直拉硅片和区熔硅片两大类。单晶硅的制备方法可分为直拉法(CZ)和区熔法(FZ)两大类,单晶硅加工成硅片后对应为直拉硅片和区熔硅片。直拉法生产出的单晶硅含氧量较高、机械强度大、尺寸大,多用于生产低功率的集成电路,而区熔法生产出的单晶硅纯度高、电学性能均匀,主要用来生产高功率的器件。此外,随着晶棒尺寸变大,为了提高晶棒良率和品质,在直拉法中加入磁场转化为温度控制系统的磁控直拉法(MCZ)法成为新的选择。由于直拉法能支持12英寸大硅片的生产,而区熔法只能用于生产8英寸及以下硅片,所以直拉法是目前主流的工艺,不过区熔法硅片凭借高电阻率、低氧含量等优点,在特色产品中占有一席之地。