SiC产业链：衬底-外延-器件-应用

SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节。碳化硅衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%，合计约

70%，后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。这与硅基器件成本构成截然不同，硅基器件生产成本主要集中在后道的晶圆制造约50%（碳化硅器件制造也包含晶圆制造，但成本占比相对较小），衬底成本占比仅为7%。SiC产业链价值量倒挂的现象说明上游衬底厂商掌握着核心话语权，是国产化突破的关键。

图：硅基器件的成本结构 9

数据来源:中商产业研究院，亿渡数据，东吴证券研究所

目录

1SiC行业概况：第三代半导体材料性能优越，

新能源车等场景带动SiC放量

2SiC衬底：材料端良率提升是关键，设备端生长、切片、研磨抛光各环节国产化率逐步提升

3SiC外延：国外设备商主导，未来2-3年有望快速实现国产替代

4本土重点公司