全球服务器来源内存接口芯片市场规模

3）DDR5子代迭代速度加快，内存接口芯片均价有望维持稳定。在某一代具体产品周期中，销售单价逐年降低，但新的子代产品在推出时的单价通常高于上一子代产品。

澜起科技DDR4世代每个子代的迭代周期约18个月左右，而DDR5世代子代迭代周期缩短，有利于保持稳定的ASP水平。

综上所述，在量和价的双重驱动下，内存接口芯片市场正处于景气向上周期，Rambus业绩增长可期。根据我们测算，预计到2025年，内存接口芯片（RCD+DB）将有13.5亿美元的市场，而配套芯片市场（SPD Hub、温度传感器和PMIC）将有额外的3.2亿美元，由于Rambus目前正处于配套芯片的产品鉴定周期，预计主要的销售贡献将从2024年开始启动。

高带宽存储器（HighBandwidthMemory，HBM）是AMD和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，如图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。这项技术在2013年10月被JEDEC采纳为业界标准的内存技术，之后JEDEC又分别在2016年和2018把HBM2和HBM2E纳为行业标准，目前在HBM2E规范下，当传输速率上升到每管脚3.6Gbps时，HBM2E可以实现每堆栈461GB/s的内存带宽。此外，HBM2E支持12个DRAM的堆栈，内存容量高达每堆栈24GB。