
HBM市场扩增迅速,SK海力士等存储厂商引领市场发展。HBM市场进入量价齐升阶段,根据mordorintelligence2022年的预测,HBM市场2023年规模为20.4亿美元,2028年将达63.2亿美元,年复合增长率预计为25.36%。根据TrendForce数据,2022年SK海力士在HBM市占率为50%,三星和美光市占率分别为40%和10%。根据韩媒etnews2023年7月报道,三星计划投资1万亿韩元(约7.8亿美元)扩产HBM,目标24年底之前将HBM产能提高一倍,并已订购主要设备;2023年6月报道,SK海力士目标将HBM产能扩大2倍。根据韩媒etoday2023年5月报道,HBM实时价格比去年同期上涨5倍以上;SK海力士预计23年下半年通过新产品HBM3E实现8Gbps的传输速度,通过12层DRAM堆叠,比现有8层堆叠的HBM3产品最大容量扩增50%。三星相应计划23年下半年推出HBM3P新产品。
根据Trendforce的数据,2019年全球主流DIMM(双列内存模块)容量为8Gb,占比为80%以上,到2022年8Gb占比下降至50%以下,16Gb成为市场主流。随着DRAM存储器容量不断增大,其内部的电容器(Capacitor)数量随之剧增,而单个电容器的尺寸将进一步减小,电容器内部沟槽的深宽比也越来越大。深沟槽将需要更高的薄膜表面积,根据微导纳米2022年报,在 45nm 制程中,沟槽结构深宽比达到100:1,所沉积薄膜的有效面积大约是器件本身表面积的23倍,前驱体用量大幅增加。