1Q23 DRAM 市占情况

DRAM三巨头具备先发优势。据TrendForce数据统计，DRAM头部效应明显且集中度呈现越来越高的趋势，23Q1市场CR3达95.5%，较20Q1提升1.3pcts。产品上，目前产品最新标准迭代至DDR5，10nm 以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代（DDR5）；制程上，10nm~20nm 系列制程至少包括六代：1Xnm（16- 19nm ）/1Ynm（14- 16nm ）/1Znm（12- 14nm ）/1α/1β/1γ， 10nm 以下待突破。长鑫2018年成功研发出中国首个国产8Gb DDR4内存，2021年开始进入 17nm 工艺环节，2022年完成了17nm DDR5内存试产。目前长鑫存储主要产品有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片以及DDR4模组，但整体来看，与DRAM三巨头仍存在一定差距。

相比于DRAM，NAND集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据TrendForce数据显示，近两年NAND Flash市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5从20年Q1的89.0%增长到现在的96.6%。产品上，长江存储于2022年发布基于晶栈 ® （Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平，这同时也是NAND价格一路下跌的重要原因之一。

NOR Flash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导。据IC Insights统计，2021年NOR Flash市场CR3份额达91%。从制程布局上看，华邦电相对领先，自2021年大多数产品已转进 40nm 制程；旺宏的所有NOR器件都于2022Q2开始向 45nm 工艺生产过渡；兆易创新作为国产NOR Flash龙头，其55nm NOR Flash全系列产品均已量产，同时正在着力推进 45nm 制程工艺研发。