
资料来源:Yole,中邮证券研究所
1.3先进封装处于晶圆制造与封测的交叉区域
先进封装处于晶圆制造与封测制程中的交叉区域,涉及IDM、晶圆代工、封测厂商。先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤,具体包括应用晶圆研磨薄化、重布线(RDL)、凸块制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工艺技术,涉及与晶圆制造相似的光刻、显影、刻蚀、剥离等工序步骤,从而使得晶圆制造与封测前后道制程中出现中道交叉区域,如图表4所示。
前后道大厂争先布局先进封装,竞争格局较为集中。后摩尔时代,先进制程成本快速提升,一些晶圆代工大厂发展重心正在从过去追求更先进纳米制程,转向封装技术的创新。诸如台积电、英特尔、三星、联电等芯片制造厂商纷纷跨足封装领域。先进封装竞争格局较为集中,全球主要的6家厂商,包括2家IDM厂商(英特尔、三星),一家代工厂商(台积电),以及全球排名前三的封测厂商(日月光、Amkor、JCET),共处理了超过80%的先进封装晶圆。